Прогнозирование сроков появления новых видов памяти, которые станут дешевле существующих, зависит от множества факторов: технологического прогресса, экономической целесообразности, спроса на рынке и возможностей массового производства. Однако можно выделить несколько перспективных направлений и примерные сроки их коммерциализации:
STT-MRAM (магниторезистивная память)
Уже используется в ограниченном виде, но может стать массовой в 2025–2030 годах, если снизятся затраты на производство.
Потенциальный конкурент DRAM и SRAM за счёт скорости и энергоэффективности.
ReRAM (резистивная память)
Активно разрабатывается, первые коммерческие продукты появились. Массовое удешевление ожидается в 2027–2035 годах.
Может заменить NAND, если снизится стоимость производства.
FeRAM (ферроэлектрическая память)
Дорогая в производстве, но имеет потенциал в области энергосберегающей памяти. Ожидаемая массовая доступность: 2030–2040 годы.
PCM (фазопеременная память)
Развивается более 20 лет, но пока не вытеснила NAND. Массовое удешевление возможно в 2030–2040 годах, если появятся прорывные технологии.
Память на основе атомов (например, атомы гольмия, графеновые системы и квантовые ячейки)
Пока далека от практического использования. Ожидать доступности ранее 2045–2055 годов не стоит.
В ближайшие 5–10 лет наиболее вероятно удешевление STT-MRAM и ReRAM, но кардинальные изменения на рынке памяти ожидаются в 2030–2040-х годах.
Комментарии
Прогнозирование сроков появления новых видов памяти, которые станут дешевле существующих, зависит от множества факторов: технологического прогресса, экономической целесообразности, спроса на рынке и возможностей массового производства. Однако можно выделить несколько перспективных направлений и примерные сроки их коммерциализации:
STT-MRAM (магниторезистивная память)
Уже используется в ограниченном виде, но может стать массовой в 2025–2030 годах, если снизятся затраты на производство.
Потенциальный конкурент DRAM и SRAM за счёт скорости и энергоэффективности.
ReRAM (резистивная память)
Активно разрабатывается, первые коммерческие продукты появились. Массовое удешевление ожидается в 2027–2035 годах.
Может заменить NAND, если снизится стоимость производства.
FeRAM (ферроэлектрическая память)
Дорогая в производстве, но имеет потенциал в области энергосберегающей памяти. Ожидаемая массовая доступность: 2030–2040 годы.
PCM (фазопеременная память)
Развивается более 20 лет, но пока не вытеснила NAND. Массовое удешевление возможно в 2030–2040 годах, если появятся прорывные технологии.
Память на основе атомов (например, атомы гольмия, графеновые системы и квантовые ячейки)
Пока далека от практического использования. Ожидать доступности ранее 2045–2055 годов не стоит.
В ближайшие 5–10 лет наиболее вероятно удешевление STT-MRAM и ReRAM, но кардинальные изменения на рынке памяти ожидаются в 2030–2040-х годах.